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参数资料
| 型号： | SPP80N03S2L-031 |
| 厂商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶体管) |
| 中文描述： | 的OptiMOS功率晶体管（马鞍山型功率晶体管） |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | SPP80N03S2L-031 |
2000-04-20
Page 5
SPP80N03S2L-03
SPB80N03S2L-03
Preliminary data
Typ. output characteristic
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
parameter:
t
p
= 80 μs
SPP80N03S2L-03
P
tot
= 300W
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
5.0
V
DS
0
20
40
60
80
100
120
140
160
A
190
I
D
V
GS [V]
a
a
2.5
b
b
2.8
c
c
3.0
d
d
3.3
e
e
3.5
f
f
3.8
g
g
4.0
h
h
4.5
i
i
10.0
Typ. drain-source-on-resistance
R
DS(on)
=
f
(
I
D
)
parameter:
V
GS
SPP80N03S2L-03
0
20
40
60
80
100
120
A
160
I
D
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
m
11
R
D
V
GS
[V] =
d
3.3
d
e
e
3.5
f
f
3.8
g
g
4.0
h
h
4.5
i
i
10.0
Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
)
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS(on)max
parameter:
t
p
= 80 μs
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
5.0
V
GS
0
40
80
120
160
200
240
A
320
I
D
Typ. forward transconductance
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
=25°C
parameter:
g
fs
0
20
40
60
80
100 120 140 160
A
200
I
D
0
25
50
75
100
125
150
175
200
S
250
g
f
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