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参数资料
| 型号： | SPP80N03S2L-05 |
| 厂商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶体管) |
| 中文描述： | 的OptiMOS功率晶体管（马鞍山型功率晶体管） |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | SPP80N03S2L-05 |
2000-05-12
Page 5
SPP80N03S2L-05
SPB80N03S2L-05
Preliminary data
5 Typ. output characteristic
I
D
= f(V
DS
); T
j
=25°C
parameter:
t
p
= 80 μs
SPP80N03S2L-05
P
tot
= 154W
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
5.0
V
DS
0
20
40
60
80
100
120
140
160
A
190
I
D
VGS [V]
a
a
2.5
b
b
3.0
c
c
3.5
d
d
4.0
e
e
4.5
f
f
5.0
g
g
5.5
h
h
6.0
6 Typ. drain-source on resistance
R
DS(on)
=
f
(
I
D
)
parameter:
V
GS
SPP80N03S2L-05
0
20
40
60
80
100
120
140
A
I
D
180
0.000
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
0.012
0.014
W
0.018
R
D
V
GS
[V] =
c
3.5
c
d
d
4.0
e
e
4.5
f
f
5.0
g
g
5.5
h
h
6.0
7 Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
3
2 x
I
D
x
R
DS(on)max
parameter:
t
p
= 80 μs
0
1
2
3
4
V
6
V
GS
0
25
50
75
100
125
150
175
200
A
250
D
8 Typ. forward transconductance
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
=25°C
parameter:
g
fs
0
25
50
75
100 125 150 175 200
A
250
I
D
0
20
40
60
80
100
S
140
f
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPP80N06S2L-051 | OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶体管) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SPP80N04S2-H4 | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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