参数资料
型号: SPP80N06S2L-051
厂商: SIEMENS AG
英文描述: OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶体管)
中文描述: 的OptiMOS功率晶体管(马鞍山型功率晶体管)
文件页数: 6/8页
文件大小: 93K
代理商: SPP80N06S2L-051
2000-05-12
Page 6
SPP80N06S2L-05
SPB80N06S2L-05
Preliminary data
9 Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
=
f
(
T
j
)
parameter :
I
D
= 80 A,
V
GS
= 10 V
SPP80N06S2L-05
-60
-20
20
60
100
140
°C
T
j
200
0
2
4
6
8
10
12
14
17
R
D
typ
98%
10 Gate threshold voltage
V
GS(th)
=
f
(
T
j)
parameter:
V
GS
=
V
DS
,
I
D
= 250 μA
-60
-20
20
60
100
140
°C
200
T
j
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
3.0
V
G
98 %
typ.
2 %
11 Typ. capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
parameter:
V
GS
=0V,
f
=1 MHz
0
5
10
15
20
V
30
V
DS
2
10
3
10
4
10
5
10
pF
C
C
iss
C
oss
C
rss
12 Forward character. of reverse diode
I
F
=
f
(V
SD
)
parameter:
T
j , t
p
= 80 μs
3
10
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
3.0
V
SD
0
10
1
10
2
10
A
SPP80N06S2L-05
I
F
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 175 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 175 °C (98%)
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PDF描述
SPB80N06S2L-05 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶体管)
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SRD00217 Ternary PIN Photodiode in Receptacle Package
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