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参数资料
| 型号： | SS115 |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC |
| 封装： | GREEN, PLASTIC, SMA, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 132K |
| 代理商： | SS115 |
Version:G11
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES (SS12 THRU SS115)
FIG.1 FORWARD CURRENT DERATING CUURVE
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
170
LEAD TEMPERATURE (
oC)
AVER
AG
E
F
O
R
W
AR
D
C
U
R
EN
T
(A
)
SS12-SS14
SS15-SS115
RESISTIVE OR
INDUCTIVE
FIG. 2 MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD
SURGE CURRENT
0
10
20
30
40
1
10
100
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz
PEAK
F
O
R
W
AR
D
SU
R
G
E
CURRE
N
T
(A
)
8.3ms Single Half
Sine-Wave
FIG. 4 TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
20
40
60
80
100
120
140
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE.(%)
IN
ST
AN
T
A
N
E
O
U
S
R
EVER
SE
CURRE
NT
(m
A
)
TA=25℃
TA=75℃
TA=125℃
SS12-SS14
SS15-SS115
FIG. 5 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
10
100
1000
0.1
1
10
100
REVERSE VOLTAGE (V)
C
APAC
IT
AN
C
E
(
p
F
)
TA=25℃
f=1.0MHz
Vslg=50mV
SS12-SS14
SS15-SS16
SS19-SS115
FIG. 3 TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
FORWARD VOLTAGE (V)
IN
S
T
A
N
T
A
NE
OUS
F
O
RWA
RD
CURRE
N
T
(A
)
SS12-SS14
SS15-SS16
SS115
SS19-SS110
FIG. 6 TYPICAL TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
T-PULSE DURATION(s)
T
R
AN
SIEN
T
H
ER
MAL
IMPED
AN
C
E
(
℃
/W
)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SS12 | 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC |
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| SS12P3LHG3/87A | 12 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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