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参数资料
型号： SS3P4-E3/85A
厂商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类： 整流器
英文描述： 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA
封装： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMP, 2 PIN
文件页数： 1/4页
文件大小： 99K
代理商： SS3P4-E3/85A
New Product
SS3P4
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88954
Revision: 25-Aug-08
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1
High Current Density Surface Mount Schottky Rectifier
FEATURES
Very low profile - typical height of 1.0 mm
Ideal for automated placement
Low forward voltage drop, low power
losses
High efficiency
Low thermal resistance
Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum
peak of 260 °C
Component in accordance to RoHS 2002/95/EC
and WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
For use in low voltage high frequency inverters,
freewheeling,
dc-to-dc
converters
and
polarity
protection applications.
MECHANICAL DATA
Case: DO-220AA (SMP)
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD22-B102
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class
1A whisker test, HE3 suffix for high reliability grade
(AEC-Q101 qualified), meets JESD 201 class 2
whisker test
Polarity: Color band denotes the cathode end
PRIMARY CHARACTERISTICS
IF(AV)
3.0 A
VRRM
40 V
IFSM
50 A
EAS
11.25 mJ
VF
0.50 V
TJ max.
150 °C
DO-220AA (SMP)
eSMPTM Series
Notes:
(1) Pulse test: 300 s pulse width, 1 % duty cycle
(2) Pulse test: Pulse width
≤ 40 ms
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
SS3P4
UNIT
Device marking code
34
Maximum repetitive peak reverse voltage
VRRM
40
V
Maximum average forward rectified current (Fig. 1)
IF(AV)
3.0
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
IFSM
50
A
Non-repetitive avalanche energy at TJ = 25 °C, IAS = 1.5 A, L = 10 mH
EAS
11.25
mJ
Voltage rate of change (rated VR)
dV/dt
10 000
V/s
Operating junction and storage temperature range
TJ, TSTG
- 55 to + 150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
SYMBOL
TYP.
MAX.
UNIT
Maximum instantaneous forward
voltage (1)
IF = 3 A
TJ = 25 °C
TJ = 125 °C
VF
0.55
0.50
0.60
0.55
V
Maximum reverse current at rated VR
(2)
TJ = 25 °C
TJ = 125 °C
IR
-
7.5
150
15
A
mA
Typical junction capacitance
4.0 V, 1 MHz
CJ
105
pF
相关PDF资料
PDF描述
SS3P4-HE3/85A 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA
SS3P4-HE3/84A 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA
SS3P5-HE3/84A 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA
SS3P5-HE3/85A 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA
SS3P6-HE3/84A 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA
相关代理商/技术参数
参数描述
SS3P4HE3/84A 功能描述:肖特基二极管与整流器 40 Volt 3.0 Amp 50 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
SS3P4HE3/85A 功能描述:肖特基二极管与整流器 40 Volt 3.0 Amp 50 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
SS3P4HM3/84A 功能描述:肖特基二极管与整流器 40volt 3.0amp RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
SS3P4HM3/85A 功能描述:肖特基二极管与整流器 40volt 3.0amp RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
SS3P4HM384A 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High Current Density Surface Mount Schottky Rectifiers
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