- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录383830 > SSD2004 TRANSISTOR | MOSFET | PAIR | COMPLEMENTARY | 25V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SO PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SSD2004 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | PAIR | COMPLEMENTARY | 25V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SO |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的|一对|互补| 25V的五（巴西）直| 3.5AI（四）|苏 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 179K |
| 代理商： | SSD2004 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SSD2005 | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | SO |
| SSD2008A | TRANSISTOR | MOSFET | PAIR | COMPLEMENTARY | 30V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SO |
| SSD2011 | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2A I(D) | SO |
| SSD2013 | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 5A I(D) | SO |
| SSD2015 | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | SO |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SSD2004ATF | 功能描述:MOSFET SOIC-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SSD2005 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | SO |
| SSD2005ATF | 功能描述:MOSFET SOIC-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SSD2006ASTF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SSD2006ATF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。