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参数资料
| 型号： | SSD2008A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | PAIR | COMPLEMENTARY | 30V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SO |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的|一对|互补| 30V的五（巴西）直| 3.5AI（四）|苏 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 301K |
| 代理商： | SSD2008A |
Fig 8. On-Resistance vs. Temperature
Fig 7. Breakdown Voltage vs. Temperature
P
DM
t
1
t
2
Fig 9. Nomalized Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
( N-Channel )
Dual P-CHANNEL
POWER MOSFET
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
I
D
= 250
μ
A
B
D
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
10
-4
10
-3
t
1
, Square Wave Pulse Duration [sec]
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
Single Pulse
0.02
0.05
0.1
0.2
Duty Cycle=0.5
@ Notes :
1. Z
θ
JC
(t)=62.5
o
C/W Max.
2. Duty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
-T
C
=P
DM
*Z
θ
JC
(t)
4. Surface Mounted
T
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.5 A
R
D
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
SSD2008A
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SSD2009ATF | 功能描述:MOSFET N-Ch/50V/3a 0.13Ohm@VGS=10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SSD2010TF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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