参数资料
型号: SSD2013
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 5A I(D) | SO
中文描述: 晶体管| MOSFET的|配对| N沟道| 12V的五(巴西)直| 5A条(丁)|苏
文件页数: 3/3页
文件大小: 116K
代理商: SSD2013
相关PDF资料
PDF描述
SSD2015 TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | SO
SSD2019A TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SO
SSD2101 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7A I(D) | SO
SSD2102 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 5.3A I(D) | SO
SSD2104 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4.6A I(D) | SO
相关代理商/技术参数
参数描述
SSD2015 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | SO
SSD20163P00240T-D01 制造商:Legacy Electronics Inc 功能描述:2.5- SSD, 16GB SATA II, SLC, I-TEMP - Bulk
SSD2017ATF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SSD2019A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SO
SSD2019ATF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube