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参数资料
| 型号： | SSN1N45BTA |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 450V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 500mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.25 欧姆 @ 250mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.7V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 240pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | SSN1N45BTACT |
12V
200nF
50K Ω
300nF
Same Type
as DUT
V GS
10V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
3mA
I G = const .
Charge
Figure 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = L I AS2 --------------------
----
R G
V DS
I D
L
V DD
BV DSS
I AS
1
2 BV DSS - V DD
I D (t)
GS GS
10V
t p
DUT
V DD
t p
Time
V DS (t)
Figure 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
SSN1N45B Rev. C 0
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
|---|---|
| XPEWHT-01-0000-00ED2 | LED OUTDOOR WHT 4500K XLAMP SMD |
| OPB892N51Z | SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS C-MT |
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| XTEHVW-Q0-0000-00000L9E8 | LED XT-E HIGH VOLTAGE WHITE |
| OPB892L51Z | SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS THRU |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SSN-2025A | 制造商:MINI 制造商全称:Mini-Circuits 功能描述:Frequency Synthesizer |
| SSN-2025A+ | 制造商:MINI 制造商全称:Mini-Circuits 功能描述:Frequency Synthesizer |
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| SSN-2362A | 制造商:MINI 制造商全称:Mini-Circuits 功能描述:Frequency Synthesizer |
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