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参数资料
| 型号： | SST25VF020-20-4C-SAE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 8/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MPF 2MBIT 20NS 8SOIC |
| 特色产品： | SST Serial and Parallel Flash Memory |
| 标准包装： | 100 |
| 系列： | SST25 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 2M (256K x 8) |
| 速度： | 20MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
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2 Mbit SPI Serial Flash
A Microchip Technology Company
SST25VF020
Not Recommended for New Designs
Block Protection (BP1, BP0)
The Block-Protection (BP1, BP0) bits define the size of the memory area, as defined in Table 4, to be
software protected against any memory Write (Program or Erase) operations. The Write-Status-Regis-
ter (WRSR) instruction is used to program the BP1 and BP0 bits as long as WP# is high or the Block-
Protect-Lock (BPL) bit is 0. Chip-Erase can only be executed if Block-Protection bits are both 0. After
power-up, BP1 and BP0 are set to 1.
Block Protection Lock-Down (BPL)
WP# pin driven low (V IL ), enables the Block-Protection-Lock-Down (BPL) bit. When BPL is set to 1, it
prevents any further alteration of the BPL, BP1, and BP0 bits. When the WP# pin is driven high (V IH ),
the BPL bit has no effect and its value is “Don’t Care”. After power-up, the BPL bit is reset to 0.
Table 4: Software Status Register Block Protection 1
Status
Register
Bit
Protected Memory Area
Protection Level
0
1 (1/4 Memory Array)
2 (1/2 Memory Array)
3 (Full Memory Array)
BP1
0
0
1
1
BP0
0
1
0
1
2 Mbit
None
030000H-03FFFFH
020000H-03FFFFH
000000H-03FFFFH
T4.0 25078
1. Default at power-up for BP1 and BP0 is ‘11’.
Auto Address Increment (AAI)
The Auto Address Increment Programming-Status bit provides status on whether the device is in AAI
programming mode or Byte-Program mode. The default at power up is Byte-Program mode.
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
8
DS25078A
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST25VF020-20-4C-SAE-T | 功能描述:闪存 2M (256Kx8) 20MHz 2.7-3.6V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST25VF020-20-4E-QA | 功能描述:闪存 256K X 8 14 us RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST25VF020-20-4E-QAE | 功能描述:闪存 256K X 8 14 us RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST25VF020-20-4E-S2AE | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:2 Mbit / 4 Mbit SPI Serial Flash |
| SST25VF020-20-4E-SA | 功能描述:闪存 256K X 8 14 us RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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