- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录364 > SST25VF064C-80-4I-Q2AE-T (Microchip Technology)IC FLASH SER 64M DUAL I/O 8WSON Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SST25VF064C-80-4I-Q2AE-T |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 13/37页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH SER 64M DUAL I/O 8WSON |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | SST25 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 64M（8M x 8） |
| 速度： | 80MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WSON |
| 包装： | 带卷 (TR) |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页当前第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页
64 Mbit SPI Serial Dual I/O Flash
A Microchip Technology Company
SST25VF064C
Data Sheet
High-Speed Read (80 MHz)
The High-Speed Read instruction supporting up to 80 MHz Read is initiated by executing an 8-bit com-
mand, 0BH, followed by address bits A 23 -A 0 and a dummy byte. CE# must remain active low for the
duration of the High-Speed Read cycle. See Figure 7 for the High-Speed Read sequence.
Following a dummy cycle, the High-Speed Read instruction outputs the data starting from the specified
address location. The data output stream is continuous through all addresses until terminated by a low
to high transition on CE#. The internal address pointer will automatically increment until the highest
memory address is reached. Once the highest memory address is reached, the address pointer will
automatically increment to the beginning (wrap-around) of the address space. For example, once the
data from address location 7FFFFFH is read, the next output is from address location 000000H.
CE#
MODE 3
0 1 2 3 4 5 6 7 8
15 16
23 24
31 32
39 40
47 48
55 56
63 64
71 72
80
SCK
MODE 0
SI
0B
ADD.
ADD.
ADD.
X
SO
HIGH IMPEDANCE
N
DOUT
N+1
DOUT
N+2
DOUT
N+3
DOUT
N+4
DOUT
Figure 7: High-Speed Read Sequence
MSB
1392 F07.0
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
13
DS25036A
06/11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST25VF080B-80-4I-QAE-T | IC FLASH SER 8MB 50MHZ SPI 8WSON |
| SST25VF512-20-4C-SAE-T | IC FLASH SER 512K 20MHZ 8SOIC |
| SST25VF512A-33-4I-QAE-T | IC FLASH SER 512KB 33MHZ 8WSON |
| SST25WF040-40-5I-QAE-T | IC FLASH SER 4MB 40MHZ SPI 8WSON |
| SST25WF080-75-4I-ZAE | IC FLSH SER 8MB 75MHZ SPI 8CSP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST25VF064C-80-4I-Q2CE | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:64 Mbit SPI Serial Dual I/O Flash |
| SST25VF064C804IS3AE | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述: |
| SST25VF064C-80-4I-S3AE | 功能描述:闪存 64M (8Mx8) 80MHz Industrial Temp RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST25VF064C-80-4I-S3AE_ | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述: |
| SST25VF064C-80-4I-S3AE-T | 功能描述:闪存 2.7V to 3.6V 64Mbit SPI Serial 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。