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参数资料
| 型号： | SST39VF1602-70-4I-EKE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 17/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MPF 16MBIT 70NS 48TSOP |
| 特色产品： | SST Serial and Parallel Flash Memory |
| 标准包装： | 96 |
| 系列： | SST39 MPF™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 16M (1M x 16) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 48-TSOP |
| 包装： | 托盘 |
| 产品目录页面： | 1453 (CN2011-ZH PDF) |
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16 Mbit / 32 Mbit Multi-Purpose Flash Plus
SST39VF1601 / SST39VF3201
A Microchip Technology Company
SST39VF1602 / SST39VF3202
Not Recommended for New Designs
AC Characteristics
Table 17: Read Cycle Timing Parameters V DD = 2.7-3.6V
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
T RC
T CE
T AA
T OE
Read Cycle Time
Chip Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
70
70
70
35
ns
ns
ns
ns
T CLZ
1
CE# Low to Active Output
0
ns
T OLZ1
T CHZ1
T OHZ1
OE# Low to Active Output
CE# High to High-Z Output
OE# High to High-Z Output
0
20
20
ns
ns
ns
T OH
1
Output Hold from Address Change
0
ns
T RP1
RST# Pulse Width
500
ns
T RHR
1
RST# High before Read
50
ns
T RY1,2
RST# Pin Low to Read Mode
20
μs
T17.3 25028
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
2. This parameter applies to Sector-Erase, Block-Erase and Program operations.
This parameter does not apply to Chip-Erase operations.
Table 18: Program/Erase Cycle Timing Parameters
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
T BP
T AS
T AH
T CS
T CH
T OES
T OEH
T CP
T WP
T WPH1
Word-Program Time
Address Setup Time
Address Hold Time
WE# and CE# Setup Time
WE# and CE# Hold Time
OE# High Setup Time
OE# High Hold Time
CE# Pulse Width
WE# Pulse Width
WE# Pulse Width High
0
30
0
0
0
10
40
40
30
10
μs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T CPH
1
CE# Pulse Width High
30
ns
T DS
T DH1
T IDA1
T SE
T BE
T SCE
Data Setup Time
Data Hold Time
Software ID Access and Exit Time
Sector-Erase
Block-Erase
Chip-Erase
30
0
150
25
25
50
ns
ns
ns
ms
ms
ms
T18.1 25028
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
17
DS25028A
08/11
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