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参数资料
| 型号： | SST39VF3201-70-4I-EKE-T |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 21/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MPF 32MBIT 70NS 48TSOP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | SST39 MPF™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 32M（2M x 16） |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 48-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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16 Mbit / 32 Mbit Multi-Purpose Flash Plus
SST39VF1601 / SST39VF3201
A Microchip Technology Company
SST39VF1602 / SST39VF3202
Not Recommended for New Designs
SIX-BYTE CODE FOR BLOCK-ERASE
T BE
ADDRESS A MS-0
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
BA X
CE#
OE#
T WP
WE#
DQ 15-0
XXAA
SW0
XX55
SW1
XX80
SW2
XXAA
SW3
XX55
SW4
XX50
SW5
Note: This device also supports CE# controlled Block-Erase operation. The WE# and CE# signals are
interchageable as long as minimum timings are met. (See Table 17)
BA X = Block Address
A MS = Most significant address
A MS = A 19 for SST39VF1601/1602 and A 20 for SST39VF3201/3202
WP# must be held in proper logic state (V IL or V IH ) 1 μs prior to and 1 μs after the command sequence
X can be V IL or V IH , but no other value
Figure 10: WE# Controlled Block-Erase Timing Diagram
SIX-BYTE CODE FOR SECTOR-ERASE
T SE
1223 F09.5
ADDRESS A MS-0
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
SA X
CE#
OE#
T WP
WE#
DQ 15-0
XXAA
SW0
XX55
SW1
XX80
SW2
XXAA
SW3
XX55
SW4
XX30
SW5
Note: This device also supports CE# controlled Sector-Erase operation. The WE# and CE# signals are
interchageable as long as minimum timings are met. (See Table 17)
SA X = Sector Address
A MS = Most significant address
A MS = A 19 for SST39VF1601/1602 and A 20 for SST39VF3201/3202
WP# must be held in proper logic state (V IL or V IH ) 1 μs prior to and 1 μs after the command sequence
X can be V IL or V IH , but no other value
1223 F10.5
Figure 11: WE# Controlled Sector-Erase Timing Diagram
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
21
DS25028A
08/11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST39VF3201-70-4C-EKE-T | IC FLASH MPF 32MBIT 70NS 48TSOP |
| FMC19DREF | CONN EDGECARD 38POS .100 EYELET |
| ACC65DRES | CONN EDGECARD 130PS .100 EYELET |
| SST39VF3201C-70-4I-EKE-T | IC FLASH MPF+ 32MBIT 48-TSOP |
| XC2V1500-5FGG676C | IC FPGA VIRTEX-II 1.5M 676-FBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST39VF3201B-70-4C-B3KE | 功能描述:闪存 32M (2Mx16) 70ns 2.7-3.6V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF3201B704CEKE | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述: |
| SST39VF3201B-70-4C-EKE | 功能描述:闪存 32M (2Mx16) 70ns 2.7-3.6V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF3201B-70-4I-B3KE | 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 32Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF3201B-70-4I-B3KE-T | 功能描述:闪存 2.7V to 3.6V 32Mbit Multi-Prps Fl RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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