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参数资料
| 型号： | SST39VF801C-70-4I-MAQE-T |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 19/38页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MPF FLASH 8MBIT CMOS 48WFBGA |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | SST39 MPF™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 8M（512K x 16） |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-WFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-WFBGA（6x4） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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8 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
A Microchip Technology Company
SST39VF801C / SST39VF802C / SST39LF801C / SST39LF802C
Data Sheet
AC Characteristics
Table 17: Read Cycle Timing Parameters V DD = 2.7-3.6V
SST39VF801C/802C
SST39LF801C/802C
Symbol
Parameter
Min
Max
Min
Max
Units
T RC
T CE
T AA
T OE
T CLZ1
T OLZ1
T CHZ1
Read Cycle Time
Chip Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
CE# Low to Active Output
OE# Low to Active Output
CE# High to High-Z Output
70
0
0
70
70
35
20
55
0
0
55
55
30
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T OHZ
1
OE# High to High-Z Output
20
15
ns
T OH1
T RP1
T RHR1
Output Hold from Address Change
RST# Pulse Width
RST# High before Read
0
500
50
0
500
50
ns
ns
ns
T RY
1,2
RST# Pin Low to Read Mode
20
20
μs
T17.3 25041
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
2. This parameter applies to Sector-Erase, Block-Erase and Program operations.
This parameter does not apply to Chip-Erase operations.
Table 18: Program/Erase Cycle Timing Parameters
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
T BP
T AS
T AH
T CS
T CH
T OES
T OEH
T CP
T WP
T WPH1
T CPH1
T DS
T DH1
T IDA1
T SE
T BE
T SCE
T BY1,2
T BR1
Word-Program Time
Address Setup Time
Address Hold Time
WE# and CE# Setup Time
WE# and CE# Hold Time
OE# High Setup Time
OE# High Hold Time
CE# Pulse Width
WE# Pulse Width
WE# Pulse Width High
CE# Pulse Width High
Data Setup Time
Data Hold Time
Software ID Access and Exit Time
Sector-Erase
Block-Erase
Chip-Erase
RY/BY# Delay Time
Bus Recovery Time
0
30
0
0
0
10
40
40
30
30
30
0
10
150
25
25
50
90
0
μs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
ns
μs
T18.1 25041
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
2. This parameter applies to Sector-Erase, Block-Erase, and Program operations.
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
19
DS25041A
05/11
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SST39VF802C-70-4C-B3KE-T | 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF802C-70-4C-EKE | 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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