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参数资料
| 型号： | SST39SF040-70-4C-WHE-T |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 1/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MPF 4MBIT 70NS 32TSOP |
| 标准包装： | 1,500 |
| 系列： | SST39 MPF™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 4M (512K x 8) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 32-TFSOP（0.488"，12.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 32-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
A Microchip Technology Company
SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040
Data Sheet
The SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040 are CMOS Multi-Purpose
Flash (MPF) devices manufactured with SST proprietary, high performance
CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick oxide tunnel-
ing injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate
approaches. The SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040 write (Program
or Erase) with a 4.5-5.5V power supply, and conforms to JEDEC standard pinouts
for x8 memories
Features
? Organized as 128K x8 / 256K x8 / 512K x8
? Single 4.5-5.5V Read and Write Operations
? Superior Reliability
– Endurance: 100,000 Cycles (typical)
– Greater than 100 years Data Retention
? Low Power Consumption
(typical values at 14 MHz)
– Active Current: 10 mA (typical)
– Standby Current: 30 μA (typical)
? Sector-Erase Capability
– Uniform 4 KByte sectors
? Fast Read Access Time:
– 45 ns
– 55 ns
– 70 ns
? Latched Address and Data
? Automatic Write Timing
– Internal V PP Generation
? Fast Erase and Byte-Program
– Sector-Erase Time: 18 ms (typical)
– Chip-Erase Time: 70 ms (typical)
– Byte-Program Time: 14 μs (typical)
– Chip Rewrite Time:
2 seconds (typical) for SST39SF010A
4 seconds (typical) for SST39SF020A
8 seconds (typical) for SST39SF040
? End-of-Write Detection
– Toggle Bit
– Data# Polling
? TTL I/O Compatibility
? JEDEC Standard
– Flash EEPROM Pinouts and command sets
? Packages Available
– 32-lead PLCC
– 32-lead TSOP (8mm x 14mm)
– 32-pin PDIP
? All devices are RoHS compliant
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
www.microchip.com
DS25022A
07/11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST39VF800A-70-4I-B3KE-T | IC FLASH MPF 8MBIT 70NS 48TFBGA |
| SST39LF400A-55-4C-EKE-T | IC FLASH MPF 4MBIT 55NS 48TSOP |
| 24LC512-E/SN | EEPROM 512KB 2.5V 400KHZ 8SOIC |
| SST39SF020A-70-4I-NHE | IC FLASH MPF 2MBIT 70NS 32PLCC |
| SST39LF040-55-4C-NHE | IC FLASH MPF 4MBIT 55NS 32PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST39SF040-70-4I-NH | 功能描述:闪存 512K X 8 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39SF040-70-4I-NHE | 功能描述:闪存 512K X 8 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39SF040-70-4I-NHE-T | 功能描述:闪存 4M (512Kx8) 70ns 5.0V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39SF040-70-4I-PH | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash |
| SST39SF040-70-4I-WH | 功能描述:闪存 512K X 8 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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