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参数资料
| 型号： | SST39SF040-70-4C-WHE-T |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 16/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MPF 4MBIT 70NS 32TSOP |
| 标准包装： | 1,500 |
| 系列： | SST39 MPF™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 4M (512K x 8) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 32-TFSOP（0.488"，12.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 32-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit Multi-Purpose Flash
A Microchip Technology Company
ADDRESS A MS-0
CE#
SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040
Data Sheet
T CE
OE#
WE#
DQ 6
T OEH
T OE
Note
T OES
TWO READ CYCLES
WITH SAME OUTPUTS
1147 F07.1
Note: Toggled bit output is always high first.
A MS = Most significant address
A MS = A 16 for SST39SF010A, A 17 for SST39SF020A, and A 18 for SST39SF040
Figure 9: Toggle Bit Timing Diagram
SIX-BYTE CODE FOR SECTOR-ERASE
T SE
ADDRESS A MS-0
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
SA X
CE#
OE#
T WP
WE#
DQ 7-0
AA
SW0
55
SW1
80
SW2
AA
SW3
55
SW4
30
SW5
1147 F08.1
Note: This device also supports CE# controlled Sector-Erase operation. The WE# and CE# signals are interchangeable
as long as minimum timings are met. (See Table 10)
SA X X = Sector Address
Toggled bit output is always high first.
A MS = Most significant address
A MS = A 16 for SST39SF010A, A 17 for SST39SF020A, and A 18 for SST39SF040
Figure 10: WE# Controlled Sector-Erase Timing Diagram
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
16
DS25022A
07/11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST39VF800A-70-4I-B3KE-T | IC FLASH MPF 8MBIT 70NS 48TFBGA |
| SST39LF400A-55-4C-EKE-T | IC FLASH MPF 4MBIT 55NS 48TSOP |
| 24LC512-E/SN | EEPROM 512KB 2.5V 400KHZ 8SOIC |
| SST39SF020A-70-4I-NHE | IC FLASH MPF 2MBIT 70NS 32PLCC |
| SST39LF040-55-4C-NHE | IC FLASH MPF 4MBIT 55NS 32PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST39SF040-70-4I-NH | 功能描述:闪存 512K X 8 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39SF040-70-4I-NHE | 功能描述:闪存 512K X 8 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39SF040-70-4I-NHE-T | 功能描述:闪存 4M (512Kx8) 70ns 5.0V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39SF040-70-4I-PH | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash |
| SST39SF040-70-4I-WH | 功能描述:闪存 512K X 8 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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