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参数资料
| 型号： | SST39WF800B-70-4C-MAQE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 1/33页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MPF 8MBIT 70NS 48WFBGA |
| 标准包装： | 740 |
| 系列： | SST39 MPF™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 8M（512K x 16） |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.65 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 48-WFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-WFBGA（6x4） |
| 包装： | 托盘 |
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8 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash
A Microchip Technology Company
SST39WF800B
Data Sheet
The SST39WF800B is a 512K x16 CMOS Multi-Purpose Flash (MPF) manufac-
tured with proprietary, high-performance CMOS SuperFlash technology. The split-
gate cell design and thick-oxide tunneling injector attain better reliability and man-
ufacturability compared to alternate approaches. The SST39WF800B writes (Pro-
gram or Erase) with a 1.65-1.95V power supply. This device conforms to JEDEC
standard pin assignments for x16 memories
Features
? Organized as 512K x16
? Single Voltage Read and Write Operations
– 1.65-1.95V
? Superior Reliability
– Endurance: 100,000 Cycles (typical)
– Greater than 100 years Data Retention
? Low Power Consumption (typical values at 5 MHz)
– Active Current: 5 mA (typical)
– Standby Current: 5 μA (typical)
? Sector-Erase Capability
– Uniform 2 KWord sectors
? Block-Erase Capability
– Uniform 32 KWord blocks
? Fast Read Access Time
– 70 ns
? Latched Address and Data
? Fast Erase and Word-Program
– Sector-Erase Time: 36 ms (typical)
– Block-Erase Time: 36 ms (typical)
– Chip-Erase Time: 140 ms (typical)
– Word-Program Time: 28 μs (typical)
? Automatic Write Timing
– Internal V PP Generation
? End-of-Write Detection
– Toggle Bit
– Data# Polling
? CMOS I/O Compatibility
? JEDEC Standard
– Flash EEPROM Pinouts and command sets
? Packages Available
– 48-ball TFBGA (6mm x 8mm)
– 48-ball WFBGA (4mm x 6mm) Micro-Package
– 48-ball XFLGA (5mm x 6mm) Micro-Package
– 48-ball XFLGA (4mm x 6mm) Micro-Package
? All devices are RoHS compliant
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
www.microchip.com
DS25031A
08/11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST39WF800B-70-4C-Y1QE | 功能描述:闪存 8M (512Kx16) 70ns 1.65-1.95V Comm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39WF800B-70-4I-B3KE | 功能描述:闪存 8M (512Kx16) 70ns 1.65-1.95V Indust RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39WF800B-70-4I-B3KE-T | 功能描述:闪存 1.65 to 1.95V 8Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39WF800B-70-4I-C2QE | 功能描述:闪存 1.65 to 1.95V 8Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39WF800B-70-4I-MAQE | 功能描述:闪存 1.65 to 1.95V 8Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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