参数资料
型号: SSTUAF32866CHLF
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 19/30页
文件大小: 0K
描述: IC REGIST BUFF 25BIT DDR2 96-BGA
标准包装: 270
逻辑类型: 1:2 可配置寄存缓冲器
电源电压: 1.7 V ~ 1.9 V
位数: 25,14
工作温度: 0°C ~ 70°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 96-LFBGA
供应商设备封装: 96-CABGA(13.5x5.5)
包装: 托盘
ICSSSTUAF32866C
25-BIT CONFIGURABLE REGISTERED BUFFER FOR DDR2
COMMERCIAL TEMPERATURE GRADE
25-BIT CONFIGURABLE REGISTERED BUFFER FOR DDR2
26
ICSSSTUAF32866C
7100/12
Test Circuits and Waveforms (VDD = 1.8V ± 0.1V)
Simulation Load Circuit
Voltage and Current Waveforms Inputs Active and Inactive
Times
Voltage Waveforms - Pulse Duration
Voltage Waveforms - Setup and Hold Times
Production-Test Load Circuit
Voltage Waveforms - Propagation Delay Times
NOTES:
1. CL includes probe and jig capacitance.
2. IDD tested with clock and data inputs held at VDD or GND, and
Io = 0mA
3. All input pulses are supplied by generators having the following
characteristics: PRR
≤10MHz, Zo = 50, input slew rate = 1 V/ns
±20% (unless otherwise specified).
4. The outputs are measured one at a time with one transition per
measurement.
5. VTT = VREF = VDD/2
6. VIH = VREF + 250mV (AC voltage levels) for differential inputs.
VIH = VDD for LVCMOS input.
7. VIL = VREF - 250mV (AC voltage levels) for differential inputs.
VIL = GND for LVCMOS input.
8. VID = 600mV.
9. tPLH and tPHL are the same as tPDM.
CL =30 pF
RL =1K
DUT
Out
RL= 100
CLK Inputs
TL =50
TL =350ps, 50
Test Point
CLK
VDD
RL =1K
Test Point
VDD
0V
VDD/2
LVCMOS
RESET
Input
IDD
VDD/2
tINACT
tACT
10%
90%
VICR
VID
VICR
Input
tW
VREF
VIH
VIL
VREF
Input
VICR
VID
tSU
tH
CLK
ZO =50
Test
Point
RL =50
DUT
Out
CLK Inputs
CLK
VDD/2
CLK
ZO =50
Test
Point
Test
Point
CLK
VICR
VID
tPLH
tPHL
Output
VOH
VOL
VICR
VTT
CLK
VOH
VOL
VIH
VIL
tRPHL
VDD/2
VTT
LVCMOS
RESET
Input
Output
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PDF描述
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SSTUAF32868AHLF 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube
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