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参数资料
| 型号： | SSTUAF32866CHLF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/30页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REGIST BUFF 25BIT DDR2 96-BGA |
| 标准包装： | 270 |
| 逻辑类型： | 1:2 可配置寄存缓冲器 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 位数： | 25，14 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 96-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 96-CABGA（13.5x5.5） |
| 包装： | 托盘 |
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ICSSSTUAF32866C
25-BIT CONFIGURABLE REGISTERED BUFFER FOR DDR2
COMMERCIAL TEMPERATURE GRADE
25-BIT CONFIGURABLE REGISTERED BUFFER FOR DDR2
15
ICSSSTUAF32866C
7100/12
Timing Requirements Over Recommended Operating Free-Air Temperature
Range
Switching Characteristics Over Recommended Free Air Operating Range
(unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
VDD = 1.8V ± 0.1V
Units
Min.
Max.
fCLOCK
Clock Frequency
410
MHz
tW
Pulse Duration, CLK, CLK HIGH or LOW
1
ns
tACT1
1
VREF must be held at a valid input voltage level and data inputs must be held at valid logic levels for a
minimum time of tACT(max) after RESET is taken HIGH.
Differential Inputs Active Time
10
ns
tINACT2
2
VREF, data, and clock inputs must be held at a valid input voltage levels (not floating) for a minimum
time of tINACT(max) after RESET is taken LOW.
Differential Inputs Inactive Time
15
ns
tSU
Setup
Time
DCS before CLK
↑ , CLK↓, CSR HIGH; CSR before
CLK
↑ , CLK↓, DCS HIGH
0.7
ns
DCS before CLK
↑ , CLK↓, CSR LOW
0.5
DODT, DOCKE, and data before CLK
↑ , CLK↓
0.5
PAR_IN before CLK
↑ , CLK↓
0.5
tH
Hold
Time
DCS, DODT, DCKE, and data after CLK
↑ , CLK↓
0.5
ns
PAR_IN after CLK
↑ , CLK↓
0.5
Symbol
Parameter
VDD = 1.8V ± 0.1V
Units
Min.
Max.
fMAX
Max Input Clock Frequency
410
MHz
tPDM
Propagation Delay, single bit switching, CLK
↑ / CLK↓to Qn
1.3
1.9
ns
tPDMSS
Propagation Delay, simultaneous switching, CLK
↑ / CLK↓to Qn
2
ns
tPD
Propagation Delay, CLK
↑ / CLK↓to PPO
0.5
1.7
ns
tLH
LOW to HIGH Propagation Delay, CLK
↑ / CLK↓to QERR
0.9
3
ns
tHL
HIGH to LOW Propagation Delay, CLK
↑ / CLK↓to QERR
0.9
2.4
ns
tPHL
HIGH to LOW Propagation Delay, RESET
↓to PPO to Qn↓
3ns
tPLH
LOW to HIGH Propagation Delay, RESET
↓to QERR↑
3ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SSTUAF32868AHLF | IC REGIST BUFF 25BIT DDR2 176BGA |
| SSTUAF32868BHLFT | IC REG BUFFER 28BIT DDR2 176BGA |
| SSTUAF32869AHLFT | IC REGIST BUFF 25BIT DDR2 150BGA |
| SSTUB32864AHLF | IC REGIST BUFF 25BIT DDR2 96-BGA |
| SSTUB32866BHLFT | IC REGIST BUFF 25BIT DDR2 96-BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SSTUAF32866CHLFT | 功能描述:IC REGIST BUFF 25BIT DDR2 96-BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 逻辑 - 专用逻辑 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 25/Apr/2012 标准包装:1,500 系列:74SSTV 逻辑类型:DDR 的寄存缓冲器 电源电压:2.3 V ~ 2.7 V 位数:14 工作温度:0°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:48-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽） 供应商设备封装:48-TSSOP 包装:带卷 (TR) |
| SSTUAF32868AHLF | 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube |
| SSTUAF32868AHLFT | 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube |
| SSTUAF32868BHLF | 功能描述:IC REG BUFFER 28BIT DDR2 176BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 逻辑 - 专用逻辑 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 25/Apr/2012 标准包装:1,500 系列:74SSTV 逻辑类型:DDR 的寄存缓冲器 电源电压:2.3 V ~ 2.7 V 位数:14 工作温度:0°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:48-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽） 供应商设备封装:48-TSSOP 包装:带卷 (TR) |
| SSTUAF32868BHLFT | 功能描述:IC REG BUFFER 28BIT DDR2 176BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 逻辑 - 专用逻辑 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 25/Apr/2012 标准包装:1,500 系列:74SSTV 逻辑类型:DDR 的寄存缓冲器 电源电压:2.3 V ~ 2.7 V 位数:14 工作温度:0°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:48-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽） 供应商设备封装:48-TSSOP 包装:带卷 (TR) |
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