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参数资料
| 型号： | SSTUB32864AHLF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 12/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REGIST BUFF 25BIT DDR2 96-BGA |
| 标准包装： | 270 |
| 逻辑类型： | 1:2 可配置寄存缓冲器 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 位数： | 25，14 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 96-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 96-CABGA（13.5x5.5） |
| 包装： | 托盘 |
ICSSSTUB32864A
Advance Information
1166—10/05/05
9
Notes: 1. CL incluces probe and jig capacitance.
2. IDD tested with clock and data inputs held at VDD or GND, and Io = 0mA.
3. All input pulses are supplied by generators having the following chareacteristics: PRR
≤10 MHz,
Zo=50
, input slew rate = 1 V/ns ±20% (unless otherwise specified).
4. The outputs are measured one at a time with one transition per measurement.
5. VREF = VDD/2
6. VIH = VREF + 250 mV (ac voltage levels) for differential inputs. VIH = VDD for LVCMOS input.
7. VIL = VREF - 250 mV (ac voltage levels) for differential inputs. VIL = GND for LVCMOS input.
8. VID = 600 mV
9. tPLH and tPHL are the same as tPDM.
Figure 6 — Parameter
(VDD = 1.8 V ± 0.1 V)
RL = 1000
CL = 30 pF
(see Note 1)
LOAD CIRCUIT
tw
VICR
Inpu t
VIH
VIL
VOLTAGE WAVEFORMS – PULSE DURATION
VREF
Inpu t
tsu
th
VID
VICR
VOLTAGE WAVEFORMS – SETUP AND HOLD TIMES
VICR
VID
VICR
Output
VOL
VOH
VTT
tPHL
tPLH
VOLTAGE WAVEFORMS – PROPAGATION DELAY TIMES
tRPHL
VOL
VOH
VIL
VIH
Output
VOLTAGE WAVEFORMS – PROPAGATION DELAY TIMES
VDD/2
VTT
tact
tinact
LVCMOS
Input
RST#
VOLTAGE AND CURRENT WAVEFORMS
IDD
(see
Note 2)
90%
10%
INPUTS ACTIVE AND INACTIVE TIMES
0 V
VDD
Test Point
VDD/2
VCMOS
Inp ut
RST#
TL=350ps, 50
DUT
CK#
Out
TL=50
CK Inputs
VID
CK
RL = 100
CK
Test Point
RL = 1000
VDD
Measurement Information
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SSTUB32866BHLFT | IC REGIST BUFF 25BIT DDR2 96-BGA |
| SSTUB32872AHMLF | IC REGIST BUFF 28BIT DDR2 96-BGA |
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| SSTV16859CKLFT | IC BUS DVR UNIV 13-26BIT 56VFQFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SSTUB32864AHLFT | 功能描述:IC REGIST BUFF 25BIT DDR2 96-BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 逻辑 - 专用逻辑 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 25/Apr/2012 标准包装:1,500 系列:74SSTV 逻辑类型:DDR 的寄存缓冲器 电源电压:2.3 V ~ 2.7 V 位数:14 工作温度:0°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:48-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽） 供应商设备封装:48-TSSOP 包装:带卷 (TR) |
| SSTUB32864BHLF | 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube |
| SSTUB32864BHLFT | 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube |
| SSTUB32864EC/G | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:1.8 V configurable registered buffer for DDR2-800 RDIMM applications |
| SSTUB32864EC/G,518 | 功能描述:寄存器 1.8V CONFG REG RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:HC 电路数量:1 最大时钟频率:36 MHz 传播延迟时间: 高电平输出电流:- 7.8 mA 低电平输出电流:7.8 mA 电源电压-最大:6 V 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-38 封装:Tube |
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