参数资料
型号: ST173C12CFJ2LP
厂商: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分类: 晶闸管
英文描述: 610 A, 1200 V, SCR, TO-200AB
封装: LEAD FREE, METAL CASE WITH CERAMIC INSULATOR, APUK-3
文件页数: 8/10页
文件大小: 294K
代理商: ST173C12CFJ2LP
ST173CPbF Series
Bulletin I25233 10/06
Fig. 9 - On-state Voltage Drop Characteristics
Fig. 10 - Thermal Impedance Z
thJ-hs
Characteris-
tics
Fig. 11 - Reverse Recovered Charge Characteristics
Fig. 12 - Reverse Recovery Current Characteristics
Fig. 13 - Frequency Characteristics
100
1000
10000
11.522.5
33.544.5
T = 25°C
In
st
an
tane
ou
s
O
n
-s
tate
C
u
rr
e
n
t(
A
)
InstantaneousOn-state Voltage (V)
T = 125°C
J
ST173C..C Series
J
0
50
100
150
200
250
0
20
406080
100
I
= 500 A
300 A
200 A
100 A
50 A
Rate Of Fall Of On-state Current - di/ dt (A/ s)
M
a
x
im
u
m
R
e
v
e
rs
e
R
e
c
o
v
e
ry
C
h
a
rg
e
-Q
rr
(
C
)
ST173C..C Series
T = 125 °C
J
TM
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
Square Wave Pulse Duration (s)
th
J
-h
s
Tr
an
si
en
t
Th
e
rm
a
lI
m
p
eda
n
c
e
Z
(
K
/W
)
ST173C..C Series
Steady State Value
R
= 0.17 K/ W
(Single Side Cooled)
R
= 0.08 K/ W
(Double Side Cooled)
(DC Operation)
thJ-hs
1E2
1E3
1E4
1E11E21E31E4
50 Hz
400
2500
100
Pulse Basewidth (s)
P
e
a
k
O
n
-s
ta
te
C
u
rr
e
n
t(
A
)
1000
1500
3000
200
500
5000
ST173C..C Series
Sinusoida l pulse
T = 40°C
C
Snubber circ uit
R = 47 ohms
C
= 0.22 F
V
= 80% V
s
D
DRM
tp
1E4 1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
2500
100
Pulse Basewidth (s)
1000
1500
3000
200
500
5000
ST173C..C Series
Sinusoid al pulse
T = 55°C
C
Snub ber c ircuit
R = 47 ohms
C
= 0.22 F
V
= 80%V
s
D
DRM
tp
1E1
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
20406080
100
M
a
x
imu
m
R
e
v
e
rs
e
R
e
c
o
v
e
ry
C
u
rr
e
n
t-
I
rr
(A
)
Rate Of Fall Of Forward Current - di/ dt (A/ s)
I
= 500 A
300 A
200 A
100 A
50 A
ST173C..C Series
T = 125 °C
J
TM
Document Number: 94366
www.vishay.com
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ST173C12CFK0L 功能描述:SCR模块 330 Amp 1200 Volt 610 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK