参数资料
型号: ST173C12CFJ2LP
厂商: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分类: 晶闸管
英文描述: 610 A, 1200 V, SCR, TO-200AB
封装: LEAD FREE, METAL CASE WITH CERAMIC INSULATOR, APUK-3
文件页数: 9/10页
文件大小: 294K
代理商: ST173C12CFJ2LP
ST173CPbF Series
Bulletin I25233 10/06
Fig. 16 - Maximum On-state Energy Power Loss Characteristics
Fig. 15 - Frequency Characteristics
Fig. 14 - Frequency Characteristics
1E1
1E2
1E3
1E4
1E11E21E31E4
50 Hz
400
2500
100
Pulse Basewidth (s)
P
eak
O
n
-s
ta
te
C
u
rr
en
t(
A
)
1000
1500
3000
200
500
5000
ST173C..C Series
Trapezoid al pulse
T = 40°C
di/d t = 100A/s
C
Snub ber c irc uit
R = 47 ohms
C
= 0.22 F
V
= 80%V
s
D
DRM
tp
10000
1E4 1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
2500
100
Pulse Basewid th (s)
1000
1500
200
500
ST173C..C Series
Trap ezoid al p ulse
T = 55°C
d i/ d t = 100A/ s
C
3000
Snub ber c irc uit
R = 47 ohms
C
= 0.22 F
V
= 80%V
s
D
DRM
tp
5000
10000
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
2500
100
Pulse Basewidth (s)
1000
1500
2000
200
500
ST173C..C Series
Tra pezoida l pulse
T = 55°C
d i/dt = 50A/s
C
Snubber circ uit
R = 47 ohms
C
= 0.22 F
V
= 80% V
s
D
DRM
tp
3000
5000
1E1
1E2
1E3
1E4
1E11E21E31E4
50 Hz
400
2500
100
1000
1500
2000
3000
200
500
Pulse Basewidth (s)
P
e
a
k
On
-s
ta
te
C
u
rr
e
n
t(A
)
ST173C..C Series
Trap ezoid al p ulse
T = 40°C
di/ dt = 50A/ s
C
Snub b er circ uit
R = 47 ohms
C
= 0.22 F
V
= 80% V
s
D
DRM
tp
5000
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
Pulse Basewidth (s)
20 joules p er pulse
1
0.5
0.3
0.2
0.1
ST173C..C Series
Rectangular pulse
di/ dt = 50A/ s
10
5
3
tp
2
1E1
1E2
1E3
1E4
1E5
1E1
1E2
1E3
1E4
Pulse Basewidth (s)
20 joules p er p ulse
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
10
5
Pe
a
k
O
n
-s
ta
te
C
u
rr
e
n
t
(A
)
3
ST173C..C Series
Sinusoida l pulse
tp
1E4
Document Number: 94366
www.vishay.com
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ST173C12CFK0L 功能描述:SCR模块 330 Amp 1200 Volt 610 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK