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参数资料
| 型号： | ST303C12CDH2PBF |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 1180 A, 1200 V, SCR, TO-200AB |
| 封装： | METAL CASE WITH CERAMIC INSULATOR, EPUK-3 |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | ST303C12CDH2PBF |
ST303C..C Series
5
www.irf.com
Bulletin I25172 rev. B 04/00
Fig. 1 - Current Ratings Characteristics
Fig. 2 - Current Ratings Characteristics
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
0
1 00
20 0
300
4 0 0
5 00
600
70 0
DC
30°
60 °
90°
1 20°
18 0°
A v era g e O n -st a t e C u rre n t ( A )
C o nd u ction Pe riod
M
a
xi
m
u
m
A
llo
w
a
bl
e
He
at
si
n
k
T
e
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p
e
rat
u
re
(°
C
)
S T 303C ..C Se rie s
( S in g le Sid e C o o le d )
R
( D C ) = 0 .0 9 K / W
th J-hs
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0
5 0
1 0 0 150 200 2 5 0 3 00 350 40 0
30 °
60 °
90 °
120 °
18 0 °
A v era g e O n -st a t e C u rre n t ( A )
Co nd uc tio n A ng le
M
a
xi
m
u
m
A
llo
w
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bl
e
He
at
si
n
k
T
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m
p
e
rat
u
re
(
°C)
ST 303C ..C S e ries
(Sin g le S id e C o o le d )
R
( D C ) = 0 .0 9 K / W
thJ -hs
Outline Table
Case Style TO-200AB (E-PUK)
All dimensions in millimeters (inches)
DIA. MAX.
4.75 (0.19)
28 (1.10)
6.5 (0.26)
0.3 (0.01) MIN.
ANODE TO GATE
CREEPAGE DISTANCE: 11.18 (0.44) MIN.
STRIKE DISTANCE: 7.62 (0.30) MIN.
25.3 (0.99)
14.1 / 15.1
(0.56 / 0.59)
25°± 5°
GATE TERM. FOR
1.47 (0.06) DIA.
PIN RECEPTACLE
25.3 (0.99)
40.5 (1.59) DIA. MAX.
DIA. MAX.
2 HOLES 3.56 (0.14) x
1.83 (0.07) MIN. DEEP
42 (1.65) MAX.
Quote between upper and lower
pole pieces has to be considered
after application of Mounting Force
(see Thermal and Mechanical
Specification)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ST303C12CDH2LPBF | 1180 A, 1200 V, SCR, TO-200AB |
| ST303C12CDH3PBF | 1180 A, 1200 V, SCR, TO-200AB |
| ST303C12CDH3LPBF | 1180 A, 1200 V, SCR, TO-200AB |
| ST303C12CDJ0PBF | 1180 A, 1200 V, SCR, TO-200AB |
| ST303C12CDJ0LPBF | 1180 A, 1200 V, SCR, TO-200AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ST303C12CFJ0 | 功能描述:SCR PHASE CONT 1200V 620A E-PUK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> SCR - 单个 系列:- 其它有关文件:X00619 View All Specifications 产品目录绘图:SCR TO-92 Package 标准包装:1 系列:- SCR 型:灵敏栅极 电压 - 断路:600V 电压 - 栅极触发器 (Vgt)（最大）:800mV 电压 - 导通状态 (Vtm)（最大）:1.35V 电流 - 导通状态 (It (AV))（最大）:500mA 电流 - 导通状态 (It (RMS))（最大）:800mA 电流 - 栅极触发电流 (Igt)（最大）:200µA 电流 - 维持(Ih):5mA 电流 - 断开状态（最大）:1µA 电流 - 非重复电涌，50、60Hz (Itsm):9A，10A 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 供应商设备封装:TO-92-3 包装:剪切带 (CT) 产品目录页面:1554 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-9067-1 |
| ST303C12CFK0 | 功能描述:SCR PHASE CONT 1200V 620A E-PUK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> SCR - 单个 系列:- 其它有关文件:X00619 View All Specifications 产品目录绘图:SCR TO-92 Package 标准包装:1 系列:- SCR 型:灵敏栅极 电压 - 断路:600V 电压 - 栅极触发器 (Vgt)（最大）:800mV 电压 - 导通状态 (Vtm)（最大）:1.35V 电流 - 导通状态 (It (AV))（最大）:500mA 电流 - 导通状态 (It (RMS))（最大）:800mA 电流 - 栅极触发电流 (Igt)（最大）:200µA 电流 - 维持(Ih):5mA 电流 - 断开状态（最大）:1µA 电流 - 非重复电涌，50、60Hz (Itsm):9A，10A 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 供应商设备封装:TO-92-3 包装:剪切带 (CT) 产品目录页面:1554 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-9067-1 |
| ST303C12CFK0L | 功能描述:SCR模块 620 Amp 1200 Volt 1180 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| ST303C12CFK1L | 功能描述:SCR模块 620 Amp 1200 Volt 1180 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| ST303C12CHK1-P | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Inverter Grade Thyristors (PUK Version), 620 A |
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