参数资料
型号: ST303C12CDH2PBF
元件分类: 晶闸管
英文描述: 1180 A, 1200 V, SCR, TO-200AB
封装: METAL CASE WITH CERAMIC INSULATOR, EPUK-3
文件页数: 9/9页
文件大小: 0K
代理商: ST303C12CDH2PBF
ST303C..C Series
9
www.irf.com
Bulletin I25172 rev. B 04/00
Fig. 17 - Gate Characteristics
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
VGD
IGD
(b)
(a)
Tj=
25
°C
Tj
=
1
2
5
°C
Tj
=
-4
0
°C
(1)
(2)
Instantaneous Gate Current (A)
In
st
a
n
ta
n
e
o
u
sG
a
te
V
o
lt
a
g
e
(
V
)
Rectangular gate pulse
a) Recommended load line for
b) Recommended load line for
<=30% rated di/dt : 10V, 10ohms
rated di/dt : 20V, 10ohms; tr<=1 s
tr<=1 s
(1) PGM = 10W, tp = 20ms
(2) PGM = 20W, tp = 10ms
(3) PGM = 40W, tp = 5ms
(4) PGM = 60W, tp = 3.3ms
(3)
Device: ST303C..C Series Frequency Limited by PG(AV)
(4)
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PDF描述
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ST303C12CFK0L 功能描述:SCR模块 620 Amp 1200 Volt 1180 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
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ST303C12CHK1-P 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Inverter Grade Thyristors (PUK Version), 620 A