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参数资料
| 型号： | ST72324BLK4BA/XXX |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, MROM, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP32 |
| 封装： | 0.400 INCH, PLASTIC, SDIP-32 |
| 文件页数： | 29/151页 |
| 文件大小： | 1209K |
| 代理商： | ST72324BLK4BA/XXX |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页当前第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页
ST72F324L, ST72324BL
124/151
12.8 I/O PORT PIN CHARACTERISTICS
12.8.1 General Characteristics
Subject to general operating conditions for VDD, fOSC, and TA unless otherwise specified.
Notes:
1. Data based on characterization results, not tested in production.
2. Hysteresis voltage between Schmitt trigger switching levels. Based on characterization results, not tested.
3. IINJ(PIN) must never be exceeded. This is implicitly insured if VIN maximum is respected. If VIN maximum cannot be
respected, the injection current must be limited externally to the IINJ(PIN) value. A positive injection is induced by VIN>VDD
while a negative injection is induced by VIN<VSS. For true open-drain pads, there is no positive injection current, and the
corresponding VIN maximum must always be respected
4. Configuration not recommended, all unused pins must be kept at a fixed voltage: using the output mode of the I/O for
example or an external pull-up or pull-down resistor (see Figure 64). Data based on design simulation and/or technology
characteristics, not tested in production.
5. The RPU pull-up equivalent resistor is based on a resistive transistor (corresponding IPU current characteristics de-
scribed in Figure 65).
6. To generate an external interrupt, a minimum pulse width has to be applied on an I/O port pin configured as an external
interrupt source.
Figure 64. Connecting Unused I/O Pins
Figure 65. Typical IPU vs. VDD with VIN=VSS
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VIL
Input low level voltage 1)
0.3xVDD
V
VIH
Input high level voltage 1)
0.7xVDD
V
Vhys
Schmitt trigger voltage hysteresis 2)
0.8
IINJ(PIN)
3)
Injected Current on flash device pin
PB0
0+4
mA
Injected Current on other I/O pins
± 4
mA
ΣI
INJ(PIN)
3) Total injected current (sum of all I/O
and control pins)
VDD=3V
± 25
Ilkg
Input leakage current
VSS ≤ VIN ≤ VDD
±1
A
IS
Static current consumption
Floating input mode4)
200
RPU
Weak pull-up equivalent resistor 5)
VIN=VSS
VDD=3V
110
180
250
k
CIO
I/O pin capacitance
5
pF
tf(IO)out
Output high to low level fall time 1)
CL=50pF
Between 10% and 90%
25
ns
tr(IO)out
Output low to high level rise time 1)
25
tw(IT)in
External interrupt pulse time 6)
1tCPU
10k
UNUSED I/O PORT
ST72XXX
10k
UNUSED I/O PORT
ST72XXX
VDD
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
22.5
33.5
4
4.5
55.5
6
Vdd(V)
Ipu(
u
A
)
Ta=1 40°C
Ta=9 5°C
Ta=2 5°C
Ta=-45 °C
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PDF描述 |
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参数描述 |
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