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参数资料
| 型号： | ST72621L4M1 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO34 |
| 封装： | 0.300 INCH, LEAD FREE, SHRINK, PLASTIC, SOP-34 |
| 文件页数： | 6/139页 |
| 文件大小： | 1264K |
| 代理商： | ST72621L4M1 |
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103/139
Doc ID 6996 Rev 5
12.2.3 Thermal Characteristics
Notes:
1. The maximum chip-junction temperature is based on technology characteristics.
12.3 OPERATING CONDITIONS
12.3.1 General Operating Conditions (standard voltage ROM and Flash devices)
.
Figure 55. fCPU Versus VDD for standard voltage devices
12.3.2 Operating Conditions with Low Voltage Detector (LVD)
Notes:
1. Not tested, guaranteed by design.
2. Not tested in production, guaranteed by characterization.
3. The VDD rise time rate condition is needed to insure a correct device power-on and LVD reset. Not tested in production.
Symbol
Ratings
Value
Unit
TSTG
Storage temperature range
-65 to +150
°C
TJ
Maximum junction temperature1)
175
°C
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VDD
Operating Supply Voltage
fCPU = 8 MHz
45
5.5
VDDA
Analog reference voltage
VDD
VSSA
Analog reference voltage
VSS
fCPU
Operating frequency
fOSC = 12MHz
8
MHz
fOSC = 6MHz
4
TA
Ambient temperature range
070
°C
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ 1)
Max
Unit
VIT+
Low Voltage Reset Threshold (VDD rising)
VDD Max. Variation 50V/ms
3.6
3.8
3.95
V
VIT-
Low Voltage Reset Threshold (VDD falling)
VDD Max. Variation 50V/ms
3.45
3.65
3.8
V
Vhyst
Hysteresis (VIT+ - VIT-)
120 2)
150 2)
180 2)
mV
VtPOR
VDD rise time rate
3)
0.5
50
V/ms
fCPU [MHz]
SUPPLY VOLTAGE [V]
8
4
2
0
2.5
3.0
3.5
4
4.5
5
5.5
FUNCTIONALITY
NOT GUARANTEED
IN THIS AREA
FUNCTIONALITY
GUARANTEED
IN THIS AREA
(UNLESS OTHERWISE
SPECIFIED IN THE
TABLES OF
PARAMETRIC DATA)
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PDF描述 |
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