参数资料
型号: STB1188
厂商: AUK Corp
英文描述: PNP Silicon Transistor
中文描述: 进步党硅晶体管
文件页数: 1/3页
文件大小: 85K
代理商: STB1188
KST-8002-001
1
STB1188
PNP Silicon Transistor
Description
Medium power amplifier
Features
P
C
(Collector dissipation)= 2W (Ceramic substate of 40
×
40
×
0.8mm used)
Low collector saturation voltage : V
CE(sat)
= -0.5V(Typ.)
Complementary pair with STD1766
Ordering
Information
Type NO.
Marking
Package Code
STB1188
B1
SOT-89
Outline Dimensions unit :
mm
4.0
: h
FE
rank, monthly code
S
S
e
e
m
m
i
i
c
c
o
o
n
n
d
d
u
u
c
c
t
t
o
o
r
r
PI N Connections
1. Base
2. Collector
3. Emitter
0.50
±
0.1
1
±
0
0
1
-
+
3
1
2
4
-0.3
+ 0.5
2.5
-0.3
+ 0.2
1.00
±
0.3
-
+
0
±
0
0
±
0
0
-
+
0
相关PDF资料
PDF描述
STB11NM60T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-252AA
STB11NK40ZT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-263AB
STB11NB40-1 N-CHANNEL 400V - 0.48ohm - 10.7A DPAK/IPAK PowerMESH MOSFET
STB11NB40T4 N-CHANNEL 400V - 0.48ohm - 10.7A DPAK/IPAK PowerMESH MOSFET
STB11NM60 N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
STB11N52K3 功能描述:MOSFET N-channel 525 V 0.41 Ohm 10 A SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STB11N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STB11NB40 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
STB11NB40-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 400V - 0.48ohm - 10.7A DPAK/IPAK PowerMESH MOSFET
STB11NB40T4 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 400V - 0.48ohm - 10.7A DPAK/IPAK PowerMESH MOSFET