型号: | STB1188 |
厂商: | AUK Corp |
英文描述: | PNP Silicon Transistor |
中文描述: | 进步党硅晶体管 |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 85K |
代理商: | STB1188 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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STB11NM60T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-252AA |
STB11NK40ZT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-263AB |
STB11NB40-1 | N-CHANNEL 400V - 0.48ohm - 10.7A DPAK/IPAK PowerMESH MOSFET |
STB11NB40T4 | N-CHANNEL 400V - 0.48ohm - 10.7A DPAK/IPAK PowerMESH MOSFET |
STB11NM60 | N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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STB11N52K3 | 功能描述:MOSFET N-channel 525 V 0.41 Ohm 10 A SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
STB11N65M5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
STB11NB40 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET |
STB11NB40-1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 400V - 0.48ohm - 10.7A DPAK/IPAK PowerMESH MOSFET |
STB11NB40T4 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 400V - 0.48ohm - 10.7A DPAK/IPAK PowerMESH MOSFET |