型号: | STB11NM60T4 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-252AA |
中文描述: | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 600V的五(巴西)直| 11A条(丁)|对252AA |
文件页数: | 2/12页 |
文件大小: | 195K |
代理商: | STB11NM60T4 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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STB11NK40ZT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-263AB |
STB11NB40-1 | N-CHANNEL 400V - 0.48ohm - 10.7A DPAK/IPAK PowerMESH MOSFET |
STB11NB40T4 | N-CHANNEL 400V - 0.48ohm - 10.7A DPAK/IPAK PowerMESH MOSFET |
STB11NM60 | N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET |
STB11NM60-1 | N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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STB11NM65N | 功能描述:MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
STB11NM80 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 800V - 0.35ohm - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 MDmesh?Power MOSFET |
STB11NM80_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 800 V - 0.35 ヘ - 11 A - TO-220/FP- D2PAK - TO-247 MDmesh⑩ Power MOSFET |
STB11NM80T4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
STB12-0-0 | 制造商:TE Connectivity 功能描述:CABLE MARKER E SIZE12 0 PK30 制造商:TE Connectivity 功能描述:CABLE MARKER, E, SIZE12, 0, PK30 制造商:TE Connectivity 功能描述:CABLE MARKER, E, SIZE12, 0, PK30, Cable Diameter Min:4.5mm, Cable Diameter Max:6 |