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参数资料
| 型号： | STB14NK60 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 30V的N沟道的PowerTrench MOSFET的 |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 176K |
| 代理商： | STB14NK60 |
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STB14NF10 STP14NF10 STP14NF10FP
Gate Charge vs Gate-source Voltage
Capacitance Variations
Normalized Gate Threshold Voltage vs Temperature
Normalized on Resistance vs Temperature
Source-drain Diode Forward Characteristics
Normalized Breakdown Voltage Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB14NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.115 ohm - 15A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| STB14NK60Z | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| STB14NK60ZT4 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| STB160NF03LT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 160A I(D) | TO-263AB |
| STB16NB25 | N - CHANNEL 250V - 0.220ohm - 16A - TO-263 PowerMESH] MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STB14NK60Z | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V-0.45ohm-13.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET |
| STB14NK60Z-1 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFECT N-CHANNEL 600V - 0.45?￡[ - 13.5A |
| STB14NK60ZT4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 13.5 A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STB14NM50N | 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STB14NM65N | 功能描述:MOSFET N-Channel 650V 0.33 Ohms 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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