参数资料
型号: STB14NK60Z
厂商: 意法半导体
元件分类: MOSFETs
英文描述: 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述: 30V的N沟道的PowerTrench MOSFET的
文件页数: 4/11页
文件大小: 176K
代理商: STB14NK60Z
STB14NF10 STP14NF10 STP14NF10FP
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Thermal Impedance
Thermal Impedance for TO-220FP
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
相关PDF资料
PDF描述
STB14NK60ZT4 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
STB160NF03LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 160A I(D) | TO-263AB
STB16NB25 N - CHANNEL 250V - 0.220ohm - 16A - TO-263 PowerMESH] MOSFET
STB16NS25 N-CHANNEL 250V - 0.23ohm - 16A D2PAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET
STB16NB25T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-263AB
相关代理商/技术参数
参数描述
STB14NK60Z-1 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFECT N-CHANNEL 600V - 0.45?£[ - 13.5A
STB14NK60ZT4 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 13.5 A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STB14NM50N 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STB14NM65N 功能描述:MOSFET N-Channel 650V 0.33 Ohms 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STB15-0-0 制造商:TE Connectivity 功能描述:CABLE MARKER E SIZE15 0 PK50 制造商:TE Connectivity 功能描述:CABLE MARKER, E, SIZE15, 0, PK50 制造商:TE Connectivity 功能描述:CABLE MARKER, E, SIZE15, 0, PK50, Cable Diameter Min:5.8mm, Cable Diameter Max:8.5mm, Legend:0, Legend Colour:White, Marker Colour:Black, Marker Material:PVC (Polyvinyl Chloride), Operating Temperature Max:125C , RoHS Compliant: Yes