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参数资料
| 型号： | STB14NK60ZT4 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 30V的N沟道的PowerTrench MOSFET的 |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 176K |
| 代理商： | STB14NK60ZT4 |
STB14NF10 STP14NF10 STP14NF10FP
2/11
THERMAL DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
°
C unless otherwise specified)
OFF
ON
(*
)
DYNAMIC
D
2
PAK
TO-220
TO-220FP
Rthj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
2.5
6
°
C/W
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-ambient
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
62.5
300
°
C/W
°
C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250
μ
A, V
GS
= 0
100
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
C
= 125
°
C
1
10
μ
A
μ
A
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20 V
±
100
nA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
2
3
4
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10 V
I
D
= 7 A
0.115
0.13
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs(*)
Forward Transconductance
V
DS
= 15 V
I
D
= 7 A
20
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
460
70
30
pF
pF
pF
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| STB150NF04 | 功能描述:MOSFET N-Ch, 40V-0.005ohms 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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