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参数资料
| 型号： | STB16NB25 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | N - CHANNEL 250V - 0.220ohm - 16A - TO-263 PowerMESH] MOSFET |
| 中文描述： | ? -频道250V - 0.220ohm - 16A条-对263 PowerMESH] MOSFET的 |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 153K |
| 代理商： | STB16NB25 |
STB160NF03L
2/9
THERMAL DATA
Rthj-case
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE = 25
°
C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
ON (1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
Thermal Resistance Junction-case Max
0.5
°
C/W
°
C/W
°
C
Rthj-amb
Thermal Resistance Junction-ambient Max
62.5
T
l
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
Test Conditions
I
D
= 250
μ
A, V
GS
= 0
Min.
30
Typ.
Max.
Unit
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125
°
C
V
GS
=
±
15V
1
μ
A
μ
A
nA
10
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
±
100
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 10 V,I
D
= 80 A
V
GS
= 5 V,I
D
= 80 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
1
V
Static Drain-source On
Resistance
0.0021
0.0030
A
0.0042
0.0070
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
V
GS
= 10V
160
Parameter
Test Conditions
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
I
D
=80 A
Min.
Typ.
210
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
C
iss
C
oss
Input Capacitance
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
5600
pF
Output Capacitance
1720
pF
C
rss
Reverse Transfer
Capacitance
310
pF
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