型号: | STB16NS25 |
厂商: | 意法半导体 |
英文描述: | N-CHANNEL 250V - 0.23ohm - 16A D2PAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET |
中文描述: | N沟道250V - 0.23ohm - 16A条采用D2PAK⑩MOSFET的网格密胺 |
文件页数: | 8/9页 |
文件大小: | 153K |
代理商: | STB16NS25 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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STB16NB25T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-263AB |
STB20NE06LT4 | THERMISTOR, PTC 2.50 OHM .10A |
STB20NE06T4 | 0.5A HOLD,1.0A TRIP,60V |
STB20NE06 | N - CHANNEL 60V - 0.06ohm - 20A D2PAK STripFET] POWER MOSFET |
STB20NM60 | N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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STB16NS25T4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 250 Volt 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
STB16PF06L | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:P-CHANNEL 60V - 0.11ohm - 16A D2PAK STripFET MOSFET |
STB16PF06LT4 | 功能描述:MOSFET P-Ch 60 Volt 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
STB170NF04 | 功能描述:MOSFET N-CH 40V STripFET 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
STB180N10F3 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 100 V, 4.0 mΩ, 120 A STripFET? Power MOSFET D2PAK, TO-220 |