| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 | 描述 | MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK |
| 产品目录绘图 | ST Series I2PAK |
标准包装 | 50 |
| 系列 | MDmesh™ | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 550V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 20A |
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 250 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1480pF @ 25V |
功率 - 最大 | 192W |
| 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装 | I2PAK |
包装 | 管件 |
| 产品目录页面 | 1543 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 497-5382-5 STB20NM50-1-ND |
STB20NM50-1 同类产品
| 型号 | HM33-10070LFTR | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | 
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | TT Electronics/BI | 描述 | CURRENT SENSE TRANSFORMERS |
| 标准包装 | 750 | 系列 | HM33 |
| 变压器类型 | - |
匝数比 - 主:副 | 1 : 70 |
| 电感 | 980µH |
额定电流 | 10A |
| DC 电阻(DCR) | 5 毫欧（主），4.75 欧姆（从） |
E.T. | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
尺寸/尺寸 | 8.13mm L x 7.11mm W |
| 高度 - 座高（最大） | 5.33mm |
端接类型 | 鸥翼型 |
| 型号 | STW12NM60N | 数量 | 400 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | STMicroelectronics | 描述 | MOSFET N-CH 600V 10A TO-247 |
| 产品目录绘图 | ST Series TO-247 |
标准包装 | 600 |
| 系列 | MDmesh™ | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10A |
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 410 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 30.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 960pF @ 50V |
功率 - 最大 | 90W |
| 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商设备封装 | TO-247-3 |
包装 | 管件 |
| 产品目录页面 | 1541 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 497-7615-5 STW12NM60N-ND |
| 型号 | ACC-ANTASY3120-AH | 数量 | 12 |
| RoHS | 否 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Sigma Designs Inc | 描述 | MOD Z-WAVE PCB ANT ANZ/HK3120C-E |
| 标准包装 | 1 | 系列 | Z-WAVE |
| 类型 | 收发器，Z-Wave |
频率 | 921.42MHz |
| 适用于相关产品 | - |
已供物品 | 模块 |
| 其它名称 | 370100840 703-1031 |
| 型号 | PM113-212.5M | 数量 | 21 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Connor-Winfield | 描述 | OSC 212.5000 MHZ 3.3V LVPECL |
| 产品目录绘图 | LVPECL Series Bottom PM113 Series Side PM113,Pxx(2,3) Series Top |
特色产品 | LM113/PM113 Clock Oscillator Series |
| 标准包装 | 25 | 系列 | PM113 |
| 类型 | XO（标准） |
频率 | 212.5MHz |
| 功能 | 三态（输出启用） |
输出 | LVPECL |
| 电源电压 | 3.3V |
频率稳定性 | ±25ppm |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
电流 - 电源（最大） | 95mA |
| 额定值 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
| 尺寸/尺寸 | 0.276" L x 0.197" W（7.00mm x 5.00mm） |
高度 | 0.069"（1.75mm） |
| 封装/外壳 | 6-SMD，无引线（DFN，LCC） |
包装 | 散装 |
| 电流 - 电源（禁用）（最大） | - |
产品目录页面 | 1713 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | CW666 |
| 型号 | MMG3H21NT1 | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
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| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Freescale Semiconductor | 描述 | TRANS HBT 20.5DBM 19.3DB SOT-89 |
| 产品培训模块 | GaAs MMIC Amplifier Solutions |
标准包装 | 1 |
| 系列 | - | 频率 | 0Hz ~ 6GHz |
| P1dB | 20.5dBm（112.2mW） |
增益 | 19.3dB |
| 噪音数据 | 5.5dB |
RF 型 | - |
| 电源电压 | 5V |
电流 - 电源 | 90mA |
| 测试频率 | 900MHz |
封装/外壳 | TO-243AA |
| 包装 | 标准包装 | 产品目录页面 | 560 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | MMG3H21NT1DKR |
| 型号 | FI212L062006-T | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Taiyo Yuden | 描述 | FILTER LOWPASS DTV DMB-TH DUB-H |
| 产品培训模块 | Filter Antenna |
产品目录绘图 | FI212L Series Top FI212L Series Side |
| 标准包装 | 1 | 系列 | FI |
| 频率 | 615MHz 中心 |
带宽 | 290MHz |
| 滤波器类型 | 低通 |
纹波 | 1.3dB |
| 插入损耗 | 0.7dB |
封装/外壳 | 0805（2012 公制），4 PC 板 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
包装 | 标准包装 |
| 高度（最大） | 0.020"（0.50mm） |
尺寸/尺寸 | 0.079" L x 0.049" W（2.00mm x 1.25mm） |
| 产品目录页面 | 591 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 587-2212-6 |
| 型号 | 167R6 | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
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| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Hammond Manufacturing | 描述 | TRANSFORMER 115VAC 6.3VCT 8A |
| 标准包装 | 1 | 系列 | 167 |
| 类型 | 标准 |
最大功率 | 50 VA |
| 主线圈 | 单一 |
副线圈 | 单路，中心抽头 |
| 在某电流时的串联输出电压 | 6.3 VAC @ 8A |
在某电流时的并联输出电压 | - |
| 安装类型 | 底座安装 |
尺寸/尺寸 | 55.63mm L x 66.80mm W |
| 高度 - 座高（最大） | 66.80mm |
端接类型 | 导线引线 |
| 型号 | APT8020LFLLG | 数量 | 15 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
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| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Microsemi Power Products Group | 描述 | MOSFET N-CH 800V 38A TO-264 |
| 标准包装 | 25 | 系列 | POWER MOS 7® |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 800V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 38A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 220 毫欧 @ 19A，10V |
Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 195nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 5200pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 694W |
安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
供应商设备封装 | TO-264 [L] |
| 包装 | 管件 |
| 型号 | HM33-H10070LFTR | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | TT Electronics/BI | 描述 | CURRENT SENSE TRANSFORMERS |
| 标准包装 | 750 | 系列 | HM33 |
| 变压器类型 | - |
匝数比 - 主:副 | 1 : 70 |
| 电感 | 980µH |
额定电流 | 20A |
| DC 电阻(DCR) | 0.75 毫欧（主），4.75 欧姆（从） |
E.T. | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
尺寸/尺寸 | 8.13mm L x 7.11mm W |
| 高度 - 座高（最大） | 5.33mm |
端接类型 | 鸥翼型 |
| 型号 | FDA24N50 | 数量 | 511 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Fairchild Semiconductor | 描述 | MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN |
| 产品目录绘图 | MOSFET TO-3P(N) |
标准包装 | 30 |
| 系列 | UniFET™ | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 24A |
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 190 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 85nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4150pF @ 25V |
功率 - 最大 | 270W |
| 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装 | TO-3PN |
包装 | 管件 |
| 产品目录页面 | 1607 (CN2011-ZH PDF) |