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参数资料
| 型号： | STB7NA40-1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-262VAR |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 400V五（巴西）直| 6.5AI（四）|对262VAR |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | STB7NA40-1 |
Switching Safe OperatingArea
Source-drainDiode Forward Characteristics
Fig. 1:
UnclampedInductiveLoad TestCircuit
AccidentalOverload Area
Fig. 2:
UnclampedInductiveWaveform
STB7NA40
6/10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| STB7NB60T4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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