- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录372326 > STB80NF55-07 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | STB80NF55-07 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 55V的五（巴西）直| 80A条（丁）|对263AB |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 339K |
| 代理商： | STB80NF55-07 |
1/9
PRELIMINARY DATA
September 2003
STP80NF55L-08
STB80NF55L-08 - STB80NF55L-08-1
N-CHANNEL 55V - 0.0065
- 80A - TO-220/D
2
PAK/I
2
PAK
STripFET II POWER MOSFET
(1) Current Limited by Package
(2) I
SD
≤
80A, di/dt
≤
500A/μs, V
DD
= 40V T
j
≤
T
JMAX.
(3) Starting T
j
= 25°C, I
D
= 40A, V
DD
= 40V
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.0065
I
LOW THRESHOLD DRIVE
I
LOGIC LEVEL DEVICE
DESCRIPTION
This Power Mosfet is the latest development of
STMicroelectronics
unique
Size
”
strip-based process. The resulting tran-
sistor shows extremely high packing density for
low on-resistance, rugged avalance characteris-
tics and less critical alignment steps therefore a re-
markable manufacturing reproducibility.
“Single
Feature
APPLICATIONS
I
SOLENOID AND RELAY DRIVERS
I
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
I
DC-DC CONVERTERS
I
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
(1)
Drain Current (continuous) at T
C
= 25°C
I
D
(1)
Drain Current (continuous) at T
C
= 100°C
I
DM
( )
Drain Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
dv/dt (2)
Peak Diode Recovery voltage slope
E
AS
(3)
Single Pulse Avalanche Energy
T
stg
Storage Temperature
T
j
Max. Operating Junction Temperature
( ) Pulse width limited by safe operating area
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STP80NF55L-08
STB80NF55L-08
STB80NF55L-08-1
55 V
55 V
55 V
0.008
0.008
0.008
80 A
80 A
80 A
Parameter
Value
Unit
55
V
55
V
± 16
V
80
A
80
A
320
A
300
W
2
15
W/°C
V/ns
870
mJ
–55 to 175
°C
175
°C
TO-220
1
2
3
1
3
D
2
PAK
123
I
2
PAK
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB80NF55-08T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
| STB80NF55L06 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
| STB80NF55L06T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
| STB80NE03L06T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AA |
| STB80NF10-T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STB80NF55-08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 55V - 0.0065 ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| STB80NF55-08_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 55 V - 0.0065 Ω - 80 A - TO-220 - D2PAK - TO-247 STripFET? Power MOSFET |
| STB80NF55-08-1 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:STripFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| STB80NF55-08AG | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:112nC @ 10V Vgs（最大值）:- FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 |
| STB80NF55-08T4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。