型号: | STB80NE03L06T4 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AA |
中文描述: | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 30V的五(巴西)直| 80A条(丁)|对263AA |
文件页数: | 7/9页 |
文件大小: | 339K |
代理商: | STB80NE03L06T4 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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STB80NF10-T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
STB80NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET |
STB80NF12 | N-CHANNEL 120V-0.013ohm-80A TO-220/TO-247/TO-220FP/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET |
STB80PF55 | P-CHANNEL 55V - 0.016 ohm - 80A D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET |
STB80NF10T4 | N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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STB80NE03L-06T4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
STB80NE06-10 | 功能描述:MOSFET RO 511-STB80NF06 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
STB80NE06-10T4 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
STB80NF03L-04 | 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
STB80NF03L-04-1 | 功能描述:MOSFET N-Ch, 30V-0.0035ohms 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |