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参数资料
| 型号： | STB80NE03L06T4 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AA |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 30V的五（巴西）直| 80A条（丁）|对263AA |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 339K |
| 代理商： | STB80NE03L06T4 |
STP80NF55L-08 - STB80NF55L-08 - STB80NF55L-08-1
D
2
PAK FOOTPRINT
8/9
TAPE AND REEL SHIPMENT (suffix ”T4”)*
TUBE SHIPMENT (no suffix)*
* on sales type
DIM.
mm
inch
MIN.
MAX.
330
MIN.
MAX.
12.992
A
B
C
D
G
N
T
1.5
12.8
20.2
24.4
100
0.059
0.504
0795
0.960
3.937
13.2
0.520
26.4
1.039
30.4
1.197
BASE QTY
1000
BULK QTY
1000
REEL MECHANICAL DATA
DIM.
mm
inch
MIN.
10.5
15.7
1.5
1.59
1.65
11.4
4.8
3.9
11.9
1.9
50
0.25
23.7
MAX.
10.7
15.9
1.6
1.61
1.85
11.6
5.0
4.1
12.1
2.1
MIN.
0.413
0.618
0.059
0.062
0.065
0.449
0.189
0.153
0.468
0.075
1.574
0.0098 0.0137
0.933
MAX.
0.421
0.626
0.063
0.063
0.073
0.456
0.197
0.161
0.476
0.082
A0
B0
D
D1
E
F
K0
P0
P1
P2
R
T
W
0.35
24.3
0.956
TAPE MECHANICAL DATA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB80NF10-T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
| STB80NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET |
| STB80NF12 | N-CHANNEL 120V-0.013ohm-80A TO-220/TO-247/TO-220FP/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| STB80PF55 | P-CHANNEL 55V - 0.016 ohm - 80A D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| STB80NF10T4 | N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STB80NE03L-06T4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STB80NE06-10 | 功能描述:MOSFET RO 511-STB80NF06 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STB80NE06-10T4 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STB80NF03L-04 | 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STB80NF03L-04-1 | 功能描述:MOSFET N-Ch, 30V-0.0035ohms 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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