型号: | STB80NF10 |
厂商: | 意法半导体 |
英文描述: | N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET |
中文描述: | N沟道100V的- 0.012ohm - 80A条采用D2PAK低栅极电荷STripFET⑩功率MOSFET |
文件页数: | 2/9页 |
文件大小: | 339K |
代理商: | STB80NF10 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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STB80NF12 | N-CHANNEL 120V-0.013ohm-80A TO-220/TO-247/TO-220FP/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET |
STB80PF55 | P-CHANNEL 55V - 0.016 ohm - 80A D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET |
STB80NF10T4 | N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET |
STB85NF3LLT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 85A I(D) | TO-263AB |
STB85NF55LT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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STB80NF10_09 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 100 V, 0.012 Ω, 80 A, TO-220, D2PAK low gate charge STripFET? II Power MOSFET |
STB80NF10T4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
STB80NF10-T4 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
STB80NF10T4 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET |
STB80NF12 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 120V-0.013ohm-80A TO-220/TO-247/TO-220FP/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET |