参数资料
型号: STB80NF10
厂商: 意法半导体
英文描述: N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
中文描述: N沟道100V的- 0.012ohm - 80A条采用D2PAK低栅极电荷STripFET⑩功率MOSFET
文件页数: 7/9页
文件大小: 339K
代理商: STB80NF10
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STP80NF55L-08 - STB80NF55L-08 - STB80NF55L-08-1
DIM.
mm.
inch
MIN.
TYP
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.40
4.60
0.173
0.181
A1
2.40
2.72
0.094
0.107
b
0.61
0.88
0.024
0.034
b1
1.14
1.70
0.044
0.066
c
0.49
0.70
0.019
0.027
c2
1.23
1.32
0.048
0.052
D
8.95
9.35
0.352
0.368
e
2.40
2.70
0.094
0.106
e1
4.95
5.15
0.194
0.202
E
10
10.40
0.393
0.410
L
13
14
0.511
0.551
L1
3.50
3.93
0.137
0.154
L2
1.27
1.40
0.050
0.055
TO-262 (I
2
PAK) MECHANICAL DATA
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PDF描述
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