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参数资料
| 型号： | STB80NF10T4 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET |
| 中文描述： | N沟道100V的- 0.012ohm - 80A条采用D2PAK低栅极电荷STripFET⑩功率MOSFET |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 339K |
| 代理商： | STB80NF10T4 |
STP80NF55L-08 - STB80NF55L-08 - STB80NF55L-08-1
2/9
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON (1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
0.5
62.5
°C/W
°C/W
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
°C
Min.
55
Typ.
Max.
Unit
V
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
V
DS
= Max Rating
1
μA
10
μA
V
GS
= ± 16V
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10 V, I
D
= 40 A
V
GS
= 5 V, I
D
= 40 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
1
1.6
2.5
V
Static Drain-source On
Resistance
0.0065
0.008
0.008
0.01
Parameter
Test Conditions
V
DS
=15V
,
I
D
=40 A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
Forward Transconductance
150
S
Input Capacitance
4350
pF
Output Capacitance
800
pF
Reverse Transfer
Capacitance
260
pF
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PDF描述 |
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