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参数资料
| 型号： | STB80NF55L06 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 55V的五（巴西）直| 80A条（丁）|对263AB |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 339K |
| 代理商： | STB80NF55L06 |
STP80NF55L-08 - STB80NF55L-08 - STB80NF55L-08-1
6/9
1
DIM.
mm.
inch
MIN.
TYP
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.4
4.6
0.173
0.181
A1
2.49
2.69
0.098
0.106
A2
0.03
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0.009
B
0.7
0.93
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B2
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1.7
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C
0.45
0.6
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C2
1.23
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D
8.95
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D1
8
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E
10
10.4
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E1
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G
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L
15
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L2
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L3
1.4
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M
2.4
3.2
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R
0.4
0.015
V2
0o
4o
D
2
PAK MECHANICAL DATA
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB80NF55L06T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
| STB80NE03L06T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AA |
| STB80NF10-T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
| STB80NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET |
| STB80NF12 | N-CHANNEL 120V-0.013ohm-80A TO-220/TO-247/TO-220FP/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STB80NF55L-06 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 55V - 0.005 ohm - 80A D2PAK STripFET POWER MOSFET |
| STB80NF55L06T4 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
| STB80NF55L-06T4 | 功能描述:MOSFET N-Ch, 55V-0.005ohms 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STB80NF55L-08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 55V - 0.0065ohm - 80A - TO-220/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| STB80NF55L-08-1 | 功能描述:MOSFET N-Ch, 55V-0.0065ohms 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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