参数资料
型号: STD25NF10L
厂商: 意法半导体
英文描述: N-CHANNEL 100V - 0.030 ohm - 25A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
中文描述: N沟道100V的- 0.030欧姆- 25A条的DPAK低栅极电荷STripFET⑩二功率MOSFET
文件页数: 4/9页
文件大小: 451K
代理商: STD25NF10L
STD25NF10L
4/9
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
Gate Charge vs Gate-source Voltage
Capacitance Variations
相关PDF资料
PDF描述
STD40NF06LZ N-CHANNEL 60V - 0.020 ohm - 40A DPAK Zener-Protected STripFET⑩ II POWER MOSFET
STD40NF3LL N-CHANNEL 30V - 0.0095 ohm - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STD45NF03L N - CHANNEL 30V - 0.011 ohm - 45A DPAK STripFET POWER MOSFET
STD4NS25 N-CHANNEL 250V - 0.9ohm - 4A DPAK/IPAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET
STD5NE10L N - CHANNEL 100V - 0.3 ohm - 5A - DPAK/IPAK STripFET POWER MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
STD25NF10LA 功能描述:MOSFET 100 V Mosfet 35 RDS 25A D2PAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STD25NF10LT4 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 25 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STD25NF10LT4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N REEL 2500
STD25NF10LT4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET
STD25NF10T4 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 25 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube