参数资料
型号: STD4A60S
厂商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: Sensitive Gate Triacs
中文描述: 敏感门双向可控硅
文件页数: 2/5页
文件大小: 630K
代理商: STD4A60S
Electrical Characteristics
Symbol
Items
Conditions
Ratings
Unit
Min.
Typ.
Max.
I
DRM
Repetitive Peak Off-State
Current
V
D
= V
DRM
, Single Phase, Half Wave
T
J
= 125 °C
1.0
mA
V
TM
Peak On-State Voltage
I
T
= 6 A, Inst. Measurement
1.6
V
I
+GT1
Gate Trigger Current
V
D
= 6 V, R
L
=10
Ω
5
mA
I
-GT1
5
I
-GT3
5
I
+GT3
8
12
V
+GT1
Gate Trigger Voltage
V
D
= 6 V, R
L
=10
Ω
1.4
V
V
-GT1
1.4
V
-GT3
1.4
V
+GT3
1.6
2.0
V
GD
Non-Trigger Gate Voltage
T
J
= 125 °C, V
D
= 1/2 V
DRM
0.2
V
(dv/dt)c
Critical Rate of Rise Off-State
Voltage at Commutation
T
J
= 125 °C, [di/dt]c = -2.0 A/ms,
V
D
=2/3 V
DRM
5
V/
I
H
Holding Current
10
mA
R
th(j-c)
Thermal Impedance
Junction to case
2.6
°C/W
S T D4A60S
2/5
相关PDF资料
PDF描述
STF201-22 USB Downstream Post Filter & TVS For EMI Filtering and ESD Protection
STF201-22TC USB Downstream Post Filter & TVS For EMI Filtering and ESD Protection
STF201-30 USB Downstream Post Filter & TVS For EMI Filtering and ESD Protection
STF201-30TC USB Downstream Post Filter & TVS For EMI Filtering and ESD Protection
STF202-22 USB Upstream Port Filter & TVS For EMI Filtering and ESD Protection
相关代理商/技术参数
参数描述
STD4LN80K5 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):3.7nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):122pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):60W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.6 欧姆 @ 1A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:1
STD4LNK60Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600 V, 2.2 Ω, 3.3 A, TO-220FP, DPAK Zener-protected SuperMESH? Power MOSFET
STD4N20 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 200V - 1.2ohm - 4A DPAK/IPAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET
STD4N25 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STD4N25-1 功能描述:MOSFET DISC BY STM 4/01 TO-251 N-CH 250V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube