- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录374939 > STD4A60S (Electronic Theatre Controls, Inc.) Sensitive Gate Triacs PDF资料下载
参数资料
| 型号： | STD4A60S |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Sensitive Gate Triacs |
| 中文描述： | 敏感门双向可控硅 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 630K |
| 代理商： | STD4A60S |
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
1
10
C
Time (sec)
-50
0
50
100
150
10
1
10
2
10
3
I
+
GT3
I
I
I
+
GT1
-
GT1
-
GT3
X
I
G
C
I
G
C
Junction Temperature [
o
C]
4/5
S T D4A60S
Fig 8. Transient Thermal Impedance
Fig 7. Gate Trigger Current vs.
Junction Temperature
Fig 9. Gate Trigger Characteristics Test Circuit
▼▲
6V
A
V
10
R
G
●
●
▼▲
A
V
10
6V
R
G
●
●
▼▲
A
V
10
6V
R
G
●
●
Test Procedure
Ⅰ
Test Procedure
Ⅱ
Test Procedure
Ⅲ
▼▲
A
V
10
6V
R
G
●
●
Test Procedure
Ⅳ
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STF201-22 | USB Downstream Post Filter & TVS For EMI Filtering and ESD Protection |
| STF201-22TC | USB Downstream Post Filter & TVS For EMI Filtering and ESD Protection |
| STF201-30 | USB Downstream Post Filter & TVS For EMI Filtering and ESD Protection |
| STF201-30TC | USB Downstream Post Filter & TVS For EMI Filtering and ESD Protection |
| STF202-22 | USB Upstream Port Filter & TVS For EMI Filtering and ESD Protection |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STD4LN80K5 | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:3.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:122pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:60W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 欧姆 @ 1A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 |
| STD4LNK60Z | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600 V, 2.2 Ω, 3.3 A, TO-220FP, DPAK Zener-protected SuperMESH? Power MOSFET |
| STD4N20 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 200V - 1.2ohm - 4A DPAK/IPAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET |
| STD4N25 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
| STD4N25-1 | 功能描述:MOSFET DISC BY STM 4/01 TO-251 N-CH 250V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。