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参数资料
| 型号： | STD5406NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 40V 70A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 32V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD5406N, STD5406N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
3600
3000
2400
V DS = 0 V V GS = 0 V
C iss
T J = 25 ° C
12
9
V DS
QT
V GS
36
27
C rss
1800
C iss
6
Q GS
Q GD
18
1200
600
0
10
5
V GS
0
5
V DS
C rss
10
15
C oss
20
25
30
35
40
3
0
0
I D = 30 A
T J = 25 ° C
10 20 30 40
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
9
0
50
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and
Drain ? To ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
100
10
V DS = 32 V
I D = 30 A
V GS = 10 V
t f
t r
t d(off)
t d(on)
30
25
20
15
10
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
100
10
1
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
dc
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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参数描述 |
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