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参数资料
| 型号： | SUD19P06-60L-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 60V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1710pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SUD19P06-60L
Vishay Siliconix
P-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) r DS(on) ( Ω )
0.060 at V GS = - 10 V
- 60
0.077 at V GS = - 4.5 V
I D (A)
- 19
- 16.8
Q g (Typ)
26
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 175 °C Junction Temperature
RoHS
COMPLIANT
TO-252
Drain Connected to Ta b
G
S
G
D
S
Top V ie w
Orderin g Information: SUD19P06-60L-E3 (Lead (P b )-free)
D
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 60
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 175 °C)
Pulsed Drain Current
T C = 25 °C
T C = 125 °C
I D
I DM
- 19
- 11
- 30
A
Avalanche Current, Single Pulse
Repetitive Avalanche Energy, Single Pulse
Power Dissipation
a
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
T A = 25 °C
I AS
E AS
P D
- 22
24.2
46 c
2.7 b, c
mJ
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 175
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Junction-to-Ambient b
Junction-to-Case
t ≤ 10 s
Steady State
R thJA
R thJC
17
45
2.7
21
55
3.25
°C/W
Notes:
a. Duty cycle ≤ 1 %.
b. When monuted on 1" square PCB (FR-4 material).
c. See SOA curve for voltage derating.
Document Number: 73103
S-71660-Rev. B, 06-Aug-07
www.vishay.com
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