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参数资料
| 型号： | SUD25N15-52-T4-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 150V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 52 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1725pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD25N15-52
Vishay Siliconix
N-Channel 150-V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( Ω )
0.052 at V GS = 10 V
150
0.060 at V GS = 6 V
TO-252
I D (A)
25
23
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 175 °C Junction Temperature
? PWM Optimized
? 100 % R g Tested
?
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? Primary Side Switch
D
Drain Connected to Tab
G
D
S
Top View
Ordering Information:
SUD25N15-52-E3 (Lead (Pb)- free)
G
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
150
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 175 °C) b
T C = 25 °C
T C = 125 °C
I D
25
14.5
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
Avalanche Current
I DM
I S
I AR
50
25
25
A
Repetitive Avalanche Energy (Duty Cycle ≤ 1 %)
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
T A = 25 °C
E AR
P D
T J , T stg
31
136 b
3 a
- 55 to 175
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Junction-to-Ambient a
Junction-to-Case (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
R thJA
R thJC
15
40
0.85
18
50
1.1
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. See SOA curve for voltage derating.
Document Number: 71768
S09-1501-Rev. D, 10-Aug-09
www.vishay.com
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参数描述 |
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