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参数资料
| 型号： | SUD50N03-09P-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 63A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 65.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SUD50N03-09P
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( Ω )
0.0095 at V GS = 10 V
30
0.014 at V GS = 4.5 V
I D (A) b
63 b
52 b
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFET
? Optimized for High- or Low-Side
? 100 % R g Tested
A v aila b le
RoHS*
COMPLIANT
APPLICATIONS
? DC/DC Converters
? Synchronous Rectifiers
TO-252
D
Drain Connected to Tab
G
G
D
S
Top View
S
Ordering Information: SUD50N03-09P
SUD50N03-09P-E3 (Lead (Pb)-free)
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
30
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current a
T C = 25 °C
T C = 100 °C
I D
63 b
44.5 b
Continuous Source Current (Diode Conduction)
Pulsed Drain Current
a
I DM
I S
50
5
A
Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
T A = 25 °C
I AS
E AS
P D
T J , T stg
35
61
65.2
7.5 a
- 55 to 175
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum
Junction-to-Ambient a
t ≤ 10 s
Steady State
R thJA
16
40
20
50
°C/W
Maximum Junction-to-Case
R thJC
1.8
2.3
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board, t ≤ 10 s.
b. Based on maximum allowable Junction Temperature, package limitation current is 50 A.
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.
Document Number: 71856
S-80793-Rev. G, 14-Apr-08
www.vishay.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD50N03-09P-T1-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 63A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Curr |
| SUD50N03-10 | 功能描述:MOSFET 30V 15A 83W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50N03-10AP | 功能描述:MOSFET 30V 20A 71W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50N03-10AP-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 20A 71W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50N03-10BP | 功能描述:MOSFET 30V 20A 71W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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