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参数资料
| 型号： | SUD50N03-09P-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V TO252 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 63A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 65.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Package Information
www.vishay.com
TO-252AA Case Outline
Vishay Siliconix
E
b3
A
C2
DIM.
A
A1
b
b2
b3
C
C2
D
D1
E
MILLIMETERS
MIN. MAX.
2.18
2.38
-
0.127
0.64
0.88
0.76
1.14
4.95
5.46
0.46
0.61
0.46
0.89
5.97
6.22
4.10
-
6.35
6.73
MIN.
0.086
-
0.025
0.030
0.195
0.018
0.018
0.235
0.161
0.250
INCHES
MAX.
0.094
0.005
0.035
0.045
0.215
0.024
0.035
0.245
-
0.265
b
e1
e
b2
C
A1
E1
H
e
4.32 -
9.40 10.41
2.28 BSC
0.170 -
0.370 0.410
0.090 BSC
e1
4.56 BSC
0.180 BSC
L
L3
L4
L5
1.40
0.89
-
1.01
1.78
1.27
1.02
1.52
0.055
0.035
-
0.040
0.070
0.050
0.040
0.060
ECN: T13-0359-Rev. O, 03-Jun-13 ?
E1
DWG: 5347
Notes
? Dimension L3 is for reference only.
? Xi’an, Mingxin, and GEM SH actual photo.
Revision: 03-Jun-13
1
Document Number: 71197
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUD50N03-12P-E3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO252 |
| SUD50N03-16P-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO252 |
| SUD50N04-05L-E3 | MOSFET N-CH D-S 40V TO252 |
| SUD50N04-09H-E3 | MOSFET N-CH D-S 40V TO252 |
| SUD50N04-16P-E3 | MOSFET N-CH D-S 40V TO252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD50N03-09P-T1-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 63A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Curr |
| SUD50N03-10 | 功能描述:MOSFET 30V 15A 83W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50N03-10AP | 功能描述:MOSFET 30V 20A 71W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50N03-10AP-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 20A 71W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50N03-10BP | 功能描述:MOSFET 30V 20A 71W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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